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PECVD等離子體化學氣相沉積系統。該產品是由固態等離子源、氣體質子流量控制系統、襯底控溫系統、真空系統組成，采用集中總線控制技術的諾巴迪操作軟件。適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。